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商品一覧 > laser > PbTe,PbSe,PbS等のW-Y族

PbTe,PbSe,PbS等のW-Y族
PbTe,PbSe,PbS等のW-Y族
PbTe,PbSe,PbS等のW-Y族

PbTe,PbSe,PbS等のW-Y族

商品番号 laser1

レーザ仕様
動作波長3.5〜3.9μm
(これ以外の波長についてもお問い合わせください。)
最高動作温度200K
駆動電流ピークパルス電流2A以下
ピーク出力2mW
レーザチップサイズ〜0.7×0.7×0.7 mm3
Laser Specification
Output wavelength : 3.5-3.9μm
Maximum operation temperature : 200K
Operation current: > 2A
Peak output power : 2mW
Chip size : 〜0.7×0.7×0.7 mm3
単結晶仕様
材料PbS、PbSe、PbTe
及びこれらの混晶結晶
サイズφ10mm、長さ10mm以上
成長法封管気相成長
価格仕様により要相談(¥100,000〜)
Specification of single crystals
Materials : PbS, PbSe, PbTe, and their alloys
Size : Φ=10mm, Length >10mm
Growth method : Vapor transport method
Price : Consult from 100,000 yen

販売価格100,000円(+税:10,000円)

数量

PbTe、PbSe、PbS等のIV-VI族半導体は、波長3μm以上の中赤外領域のチューナブルレーザや熱電材料としての応用があります。
当社では、IV-VI族半導体レーザ素子や熱電物性研究用のIV-VI族半導体単結晶を提供いたします。

波長 3-4μm 帯中赤外線 PbCaS/PbS レーザ

波長 3-4μm 帯中赤外線 PbCaS/PbS レーザ

IV-VI 族半導体単結晶及び単結晶ウェーハ

IV-VI 族半導体単結晶及び単結晶ウェーハ

お問合せ:アート電子株式会社 E-mail: yamanashi@art-denshi.co.jp
(本製品は浜松市新産業創出事業費補助金及び浜松地域イノベーション推進機構・電子技術活用促 進事業費補助金により開発されたものである。)

IV-VI semiconductors such as PbTe, PbSe, PbS are useful for mid-infrared tunable lasers and for thermoelectric applications. We provide the IV-VI semiconductor lasers and IV-VI semiconductor crystals for these research activities.

Mid-infrared PbCaS/PbS lasers (Wavelength 3-4μm)

Mid-infrared  PbCaS/PbS  lasers (Wavelength 3-4μm)

IV-VI semiconductor single crystals and single crystal wafers

IV-VI semiconductor single crystals and single crystal wafers

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